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SPINTRÔNICA: Reviravolta do Silício (Parte 1)

sábado, 28 de junho de 2008

Durante décadas, o silício - pelas propriedades óticas e elétricas de semicondutor – tem sido o material dominante na eletrônica convencional à base do transporte de carga elétrica.

Uma reviravolta nas pesquisas está fazendo o silício reunir as condições para entrar no domínio da spintrônica, onde a nova moeda é o spin do elétron.

Os computadores modernos apresentam sérios desafios para a eletrônica convencional baseada na tecnologia do silício.

A crescente demanda sobre a velocidade dos processadores, a capacidade das memórias de armazenamento de dados e a potência de consumo estão forçando os pesquisadores a adentrar em territórios ainda não explorados para melhorar o desempenho desses dispositivos.

No âmbito destas iniciativas, APPELBAUM e sua equipe apresentam um desenvolvimento possivelmente decisivo: a primeira demonstração do transporte e manipulação coerente dos spins dos elétrons no silício.

Na eletrônica de spin, ou spintrônica, a informação é representada pelo spin e pela direção da correspondente magnetização.

Os materiais ferromagnéticos, tais como o ferro ou o cobalto, têm uma magnetização finita, porque a maior parte dos spins dos elétrons estão orientados no mesmo sentido ou em sentido oposto ao eixo de magnetização, dependendo do material.

Essa direção da magnetização persiste sem ação externa, e, portanto, é estável.

Por esse motivo, muitas aplicações da spintrônica baseadas em nanoestructuras de metais ferromagnéticos – tais como os discos rígidos magnéticos e, mais recentemente, as memórias magnéticas de acesso aleatório (MRAMs) – já mostraram o alcance comercial.

Porém há outras aplicações – tais como a lógica reprogramável – em que a spintrônica ainda não conseguiu superar muitas dificuldades.

Para que isso aconteça, a spintrônica tem que conquistar o silício – material abundante, barato e entrincheirado na eletrônica convencional para os semicondutores.

Supõe-se que o spin dos elétrons do silício consegue sobreviver por tempo suficientemente longo para permitir a persistência da informação “spin-codificada”.

Desse modo, os dispositivos à base de silício poderiam oferecer melhorias significativas nos transistores de spin propostos e nos esquemas de computação quântica fundamentados na spintrônica.

No entanto, a demonstração dos ingredientes básicos da spintrônica – a injeção de spin, o transporte de spin, a manipulação e a detecção de spin – tem sido difícil de realizar no silício.

Então porque o silício resistiu durante tanto tempo, quando outros semicondutores – tais como o arseneto de gálio (GaAs) usado na eletrônica de telefonia celular – se revelaram mais adequados?

Veremos isso na próxima parte.

SPINTRÔNICA: Novidades

sábado, 31 de maio de 2008

Motivadas pelas descobertas que ocorreram principalmente na última década do século XX, as pesquisas sobre as propriedades de transporte de spins em materiais sólidos estão sendo retomadas com muito vigor.

Diante das perspectivas já desenvolvidas, a compreensão dessas propriedades e as conseqüentes aplicações na construção de dispositivos spintrônicos é um conhecimento básico contemporâneo necessário para a atualização científica nessa área com caráter multidisciplinar.
O tema central da spintrônica é a manipulação ativa dos graus de liberdade do spin em sistemas no estado sólido.

O controle de spin pode ser tanto da população e da fase de spin de uma coleção de partículas, quanto da manipulação coerente de um sistema com um único ou com poucos spins.
Os pesquisadores da spintrônica trabalham com dois objetivos gerais:
a- compreender a interação entre o spin da partícula e o seu respectivo ambiente de estado sólido;
b- construir dispositivos úteis com esse conhecimento.
As pesquisas básicas incluem o transporte de spins em materiais eletrônicos, a dinâmica de spin e a relaxação de spin.

Essas pesquisas procuram responder perguntas do tipo:
- “Qual é um modo efetivo para polarizar um sistema de spins?”
- “Por quanto tempo o sistema é capaz de lembrar a sua orientação de spin?”
- “Como o spin pode ser detectado?”
De modo geral, as pesquisas podem ser agrupadas em dois ramos:
1- Transporte de spin polarizado e efeitos de resistência magnética;
A característica básica desse grupo está nas medidas de tunelamento no transporte de spin polarizado que revelaram a modificação das curvas de corrente versus tensão através da aplicação de um campo magnético e esse resultado é interpretado por uma resistência magnética de tunelamento (TMR).
Em 1995 foi descoberta a TMR a temperatura ambiente que aplicada em junções magnéticas as quais são a base para os protótipos de memória magnética de acesso aleatório.
Inclui-se nesse grupo o estudo da resistência magnética gigante (GMR) com aplicação em dispositivos de memória não volátil.
2- Injeção de spin e orientação ótica.
A característica principal deste grupo é a geração de sistemas de spin fora do equilíbrio para aplicar na construção de dispositivos fotoemissores de elétrons com spins polarizados muito úteis em poderosas técnicas de detecção na física de alta energia e na pesquisa de magnetismo em superfícies.

Quer saber mais? Consulte: Igor Zutic et al., “Spintronics: Fundamentals and applications”, REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME 76, APRIL 2004.