A epitaxia de feixe molecular (do inglês: molecular beam epitaxy – MBE) é uma técnica de crescimento de cristais que tem sido usada durante os últimos 30 anos para crescer estruturas de materiais semicondutores da melhor qualidade.
Depositando camadas muito finas de materiais sobre um substrato com muito poucas imperfeições – e, por conseguinte, com portadores de carga elétrica com altas mobilidades – os pesquisadores têm conseguido estudar uma quantidade de fenômenos fundamentais, tais como os efeitos Hall quântico inteiro e fracionário.
As estruturas dos materiais crescidos por MBE são geralmente planas, por exemplo, os gases de elétrons em duas dimensões e os poços quânticos.
Agora a técnica está sendo ampliada para o crescimento de poços quânticos acondicionados em torno de nanofios.
O crescimento de nanofios de arseneto de gálio (GaAs) por MBE não é novidade, mas a equipe de Anna Fontcuberta i Moorral recentemente mostrou que durante o crescimento dos nanofios a modificação de alguns parâmetros desse crescimento torna possível depositar camadas epitaxiais com espessuras nanométricas de arseneto de gálio e aluminínio – (AlGa)As – e de arseneto de gálio – GaAs – envolvendo um nanofio de GaAs com base hexagonal.
Efetivamente, os nanofios são usados como substratos para os poços quânticos tubulares de GaAs /(Alga)As.
A alta qualidade cristalina desses poços combinada com a sua geometria poderá dar origem a novos fenômenos, de outro modo inacessíveis nas antigas estruturas padronizadas.
Esses fenômenos são estudados com a teoria da física quântica.
OBS: Os nanofios são estruturas com dimensões de nanometros, isto é, 1,0 metro dividido por 1.000.000.000.